Temperaturen. Die Abnahme des Widerstandes erfolgt erheblich rascher, als diejenige des Widerstandes der von dem Diaphragma verdrängten Flüssigkeitsschicht. Die Ursache der rascheu Abnahme ist zugleich in der Verminderung des Widerstandes der Flüssigkeit im Inneren der Zelle und in der Vergrösserung ihrer Capillarräume durch die Zunahme der Temperatur zu suchen. Das Minimum des Widerstandes zwischen 70° und 80° und die Zunahme desselben in höherer Temperatur weisen auf Einflüsse hin, welche den so eben angegebenen entgegenwirken, die aber ihrer Natur nach noch unbekannt sind. Wurde die Kupfervitriollösung dagegen stets con- centrirt erhalten, so trat das Minimum des Widerstandes der Thon zelle schon bei 44° ein; dann stieg derselbe anfangs langsamer, von 60° an sehr schnell bis zu 80° weit über den Anfangswerth hinaus. Der Verf. erklärt dieses abweichende Verhalten durch das Auskrystallisiren von Kupfervitriol an und in der Thonzelle, welches mit steigender Temperatur durch die zunehmende Concentration der Flüssigkeit und die wachsende Temperaturdifferenz zwischen Thon zelle und Luft befördert wird. Bgr. C. Bakus. Note on the pressure coefticient of the voltaic cell. Proc. Amer. Acad. 25, 259—260 f. Zink-Platin und Zink-Kupferelemente in verdünnter Schwefel säure wurden Drucken zwischen 10 und 1800 Atmosphären bei Temperaturen zwischen 15° und 300° unterworfen. Dabei wurde der DruckcoefficientdesDANiELL’schenElementes bei 15° z =— 5.10 -6 (Volt pro Atm.), der Temperaturcoefficient gleich — 200. IO -6 (Volt pro Grad) gefunden. Beide Coefficienten besitzen mithin dasselbe Vorzeichen. Der Verf. hat ferner gefunden, dass, wenn man den rein thermischen Effect der Temperaturerhöhung auf die Leitfähigkeit von Leitern erster und zweiter Ordnung (ohne Be rücksichtigung der Volumenveränderung) ermittelt, sich in beiden Fällen eine Zunahme der Leitfähigkeit mit steigender Temperatur ergiebt. Ttyr. F. Uppenborn. Bemerkungen zu dem Verfahren von O. Tumlirz : Zur Bestimmung des Widerstandes einer galvanischen Säule. Wied. Ann. 41, 889—892 f. [EJektr. ZS. 12, 18. [Cim. (3) 30, 162—163, 1891. Das Verfahren, den inneren Widerstand einer Stromquelle aus dem Spannungsabfalle zu berechnen, welcher eintritt, wenn dasselbe durch einen bekannten äusseren Widerstand geschlossen wird, liefert